周二公布的数据显示，三星电子第三季度从SK海力士手中重新夺回了全球存储芯片市场霸主之位。
根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据，三星电子包括动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存在内的存储芯片的总销售额在7月至9月期间达到194亿美元，较上一季度增长25%。
SK海力士第三季度的销售额为175亿美元，较上年同期增长13%。
Counterpoint Research将三星电子第三季度的强劲业绩归功于市场对DRAM和NAND闪存的需求强劲。
该机构还预测，凭借新一代高带宽存储（HBM）芯片（HBM是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM），三星电子明年有望实现全面复苏。
Counterpoint Research还表示，三星电子第四季度可能会保持在全球存储芯片市场的霸主之位。
“三星电子上半年因HBM业务表现不佳而面临诸多挑战，但在积极采取措施提升产品质量后重夺第一。” Counterpoint研究员Choi Jeong-ku表示。
三星的第五代12层HBM3E近期通过英伟达的资格测试。这也使得三星成为继SK海力士和美光科技之后，第三家获得英伟达HBM3E认证的供应商。
周二早些时候，三星电子发布了第三季度初步业绩，显示受益于芯片业务复苏，当季公司营业利润强劲反弹。
根据初步业绩，三星电子第三季度营业利润同比增长32%，达到12.1万亿韩元（约85亿美元），创下三年多来最高的季度利润，远高于LSEG SmartEstimate预计的10.1万亿韩元。第三季度销售额同比增长8.7%，至86万亿韩元，为单季销售额首次突破80万亿韩元。
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